目的 | |||
本規(guī)格書針對(duì)光鋐科技之 InGaN/GaN 40 x 40mil藍(lán)光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相關(guān)基本特性進(jìn)行說明，以作為客戶應(yīng)用時(shí)之參考資料。
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產(chǎn)品特性 | |||
本產(chǎn)品為標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結(jié) 構(gòu)，以具有專利之透明導(dǎo)電層作為P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contact layer)，並以l.2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外觀尺寸 | |||
長度: 945&plun;30um (40mil) | |||
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光電特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 390 | - | 430 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 150 | - | 360 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.9 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
