目的 | |||
本規(guī)格書針對(duì)光鋐科技之38mil InGaN綠光LED晶粒(EP-G3838B-A3)之相 關(guān)基本特性進(jìn)行說明，以作為客戶應(yīng)用時(shí)之參考資料。 | |||
產(chǎn)品特性 | |||
本產(chǎn)品為標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電結(jié) 構(gòu)，以具有之透明導(dǎo)電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contact layer)，並以2um Au金屬層作為焊線電(Bonding pad)。 | |||
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外觀尺寸 | |||
長度: 965&plun;10um | |||
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光電特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 500 | - | 540 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 15700 | - | 35800 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.8 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.6 | - | 3.6 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |