器件,顯示器件,變壓器器件,砷化鎵霍爾器件類(lèi)技術(shù)資料(168元/套)
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[CS8144-0073-0001] 半導(dǎo)體器件 [摘要] 在此提供一種半導(dǎo)體器件，其中包括：形成在半導(dǎo)體基片上的緣膜；垂直和水平地形成在存儲(chǔ)單元區(qū)域中的緣膜上的實(shí)際操作電容器；有選擇地形成在該存儲(chǔ)單元區(qū)域的四個(gè)角上的偽電容器；以及形成在該實(shí)際操作晶體管和偽電容器上的第二緣膜。
[CS8144-0001-0002] 半導(dǎo)體集成電路器件 [摘要] 集成電路具備：把90度相位差賦予本地信號(hào)的移相器；使本地信號(hào)和接收信號(hào)混頻的和第2混頻電路；把90度相位差賦予和第2混頻電路的輸出信號(hào)，輸出和第2信號(hào)的第2移相器；進(jìn)行和第2信號(hào)之間的加法和減法運(yùn)算的加和減；將減輸出信號(hào)的強(qiáng)度和基準(zhǔn)強(qiáng)度進(jìn)行比較的信號(hào)強(qiáng)度檢測(cè)器；根據(jù)該比較結(jié)果，使和第2混頻電路中的任何一方，或使和第2混頻電路中的任何一方與移相器的動(dòng)作停止的電源控制電路。
[CS8144-0058-0003] 帶有蛇形縫隙式散熱片的散熱設(shè)備 本發(fā)明提供了一種用于散熱設(shè)備(10)的蛇形縫隙式散熱片(26)，所述散熱設(shè)備(10)用于對(duì)具有一散熱表面(14)的電子器件(12)進(jìn)行冷卻。散熱設(shè)備(10)包括有一個(gè)具有表面(18)和第二表面(20)的平板(16)，其中表面(18)被構(gòu)造成能夠從電子器件(12)的表面(14)接收熱量。散熱片(26)被粘結(jié)在第二表面上，并且包括有多個(gè)偏置側(cè)壁部分(48)。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)風(fēng)扇(22)在第二表面(20)的上方間隔設(shè)置，用以基本上垂直于第二表面(20)將一股沖擊氣流(24)導(dǎo)向該第二表面(20)，而蛇形縫隙式散熱片(26)位于風(fēng)扇(22)的下方，并且被粘結(jié)在第二表面(20)上。
[CS8144-0165-0004] 貼合基板的制造方法 [摘要] 根據(jù)本發(fā)明，提供一種貼合基板的制造方法，是針對(duì)至少具有將2枚的基板接合的工序、及對(duì)該接合后的基板給予熱處理使其強(qiáng)固地結(jié)合的工序之形態(tài)的貼合基板的制造方法，其特征為：至少在接合前述基板之前，進(jìn)行除去該基板表面的污染物質(zhì)的洗凈工序，接著，進(jìn)行使洗凈后的基板表面干燥的工序；該干燥工序不使用水置換法，而通過(guò)在接合前的基板上，殘留水分，來(lái)基板接合后的接合強(qiáng)度。通過(guò)此手段，提供一種貼合基板的制造方法，以高生產(chǎn)性和高良率，制造出可以接合基板的接合界面的接合強(qiáng)度，在結(jié)合熱處理后的貼合基板的結(jié)合界面，沒(méi)有空洞不良或氣泡不良等的基板。
[CS8144-0070-0005] 半導(dǎo)體器件及其制造方法 [摘要] 催化元素被添加到非晶半導(dǎo)體膜中并對(duì)其進(jìn)行熱處理，從而產(chǎn)生具有良好質(zhì)量的結(jié)晶半導(dǎo)體膜，使用該結(jié)晶半導(dǎo)體膜獲得具有滿意特性的TFT(半導(dǎo)體器件)。半導(dǎo)體層包括含有濃度為1×1019/cm3～1×1021/cm3并且屬于元素周期表的15族的雜質(zhì)元素，和濃度為1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且屬于元素周期表的13族的雜質(zhì)元素的一個(gè)區(qū)域，而且該區(qū)域是留在半導(dǎo)體膜(是溝道形成區(qū))中的催化元素向其移動(dòng)的區(qū)域。
[CS8144-0184-0006] 半導(dǎo)體元件用導(dǎo)電性薄膜、半導(dǎo)體元件及它們的制造方法 [摘要] 一種半導(dǎo)體元件(1)，在襯底(2)上，層積了包含Mo原子和Ag原子的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的柵電(4)、柵緣膜(6)、α-Si：H(i)膜(8)、溝道保護(hù)膜(10)、α-Si：H(n)膜(12)、包含Mo原子和Ag原子的導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的源?漏電(14)、源?漏緣膜(16)以及驅(qū)動(dòng)電(18)。使用包含Mo原子和Ag原子的導(dǎo)電性薄膜，形成柵電(4)和源?漏電(14)并制造半導(dǎo)體元件(1)。由此，可以提供與基材和緣層等的粘結(jié)強(qiáng)度大的半導(dǎo)體元件用導(dǎo)電性薄膜、在性能不惡化下穩(wěn)定工作的半導(dǎo)體元件及其它們的率的制造方法。
[CS8144-0002-0007] 螺旋電感內(nèi)含垂直電容的結(jié)構(gòu) [摘要] 一種螺旋電感內(nèi)含垂直電容的結(jié)構(gòu)，包含一多層導(dǎo)線以直立方式環(huán)繞的螺旋電感，及復(fù)數(shù)個(gè)直立式電容形成于電感線圈之內(nèi)，借以半導(dǎo)體基板平面面積之利用，且由于二個(gè)以上電容形成于電感內(nèi)部，渦電流因被阻斷，故能量損耗低。
[CS8144-0069-0008] 半導(dǎo)體器件及其制作方法 [摘要] 用于NMOS晶體管中擴(kuò)展區(qū)的砷劑量在5×1014至2×1015ions/cm2的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.1×1015至1.5×1015ions/cm2的范圍內(nèi)。同樣地，除了砷之外，通過(guò)離子注入向擴(kuò)展區(qū)摻入低濃度的磷。因此，對(duì)于CMOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，可以取決于以砷為代表的低擴(kuò)散系數(shù)雜質(zhì)濃度、經(jīng)常發(fā)生在淺結(jié)區(qū)中不期望的硅化物蠕變。而且，不可以降低淺結(jié)區(qū)中的電阻，而且可以在每一個(gè)晶體管中優(yōu)化重疊量。
[CS8144-0187-0009] 摻雜氮的退火晶片的制造方法以及摻雜氮的退火晶片 [摘要] 本發(fā)明涉及一種摻雜氮的退火晶片的制造方法，其在對(duì)由摻雜氮的硅單晶切削、并至少經(jīng)過(guò)研磨的晶片在氬、氫或其混合氣體環(huán)境下實(shí)施1100～1350℃的高溫?zé)崽幚砬埃ㄟ^(guò)進(jìn)行在小于前述高溫?zé)崽幚淼奶幚頊囟葴囟葴舻墓ば?，使前述高溫?zé)崽幚碇邢麥绲某叽绲难跷龀龊松L(zhǎng)為前述高溫?zé)崽幚碇胁幌麥绲某叽?，然后，進(jìn)行前述高溫?zé)崽幚淼膿诫s氮的退火晶片的制造方法。據(jù)此，提供不受摻雜于硅單晶的氮濃度影響，從硅單晶的各部位切削而成的硅單晶晶片中的退火后的BMD密度的誤差可被緩和。
[CS8144-0050-0010] 探測(cè)裝置，半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)裝置及檢驗(yàn)方法 [摘要] 本發(fā)明涉及探測(cè)裝置，設(shè)有該探測(cè)裝置的半導(dǎo)體裝置的檢驗(yàn)裝置及其檢驗(yàn)方法。使得晶片7通過(guò)載物臺(tái)9及接地配線11成為接地電位。通過(guò)載物臺(tái)高度驅(qū)動(dòng)組件17，使載物臺(tái)9水平移動(dòng)，將進(jìn)行檢驗(yàn)的芯片區(qū)域13的IC端子15配置在與探測(cè)端子25對(duì)應(yīng)的位置后，載物臺(tái)9上升到所定高度位置。通過(guò)施加電流測(cè)定電壓部31向各探測(cè)端子25施加所恒流，因IC端子和探測(cè)端子25的接觸為起因的電壓變化。使載物臺(tái)9進(jìn)一步上升，當(dāng)檢測(cè)到IC端子和探測(cè)端子25接觸時(shí)，接觸判斷部39輸出該信息，從該時(shí)刻起，使載物臺(tái)9上升所定量后，停止載物臺(tái)9上升。即使是IC端子高度偏差大的半導(dǎo)體裝置也能實(shí)現(xiàn)IC端子與探測(cè)端子的穩(wěn)定接觸。
[CS8144-0181-0011] 薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法
[CS8144-0081-0012] ZnMgSSe系正-本-負(fù)光電二管以及ZnMgSSe系雪崩二管
[CS8144-0152-0013] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[CS8144-0043-0014] 清洗等離子加工裝置的方法
[CS8144-0154-0015] 電致發(fā)光裝置及其制造方法
[CS8144-0202-0016] 散熱型BGA封裝及其制造方法
[CS8144-0174-0017] 評(píng)估基于核的系統(tǒng)集成芯片(SoC)的方法及實(shí)現(xiàn)該方法的SoC的結(jié)構(gòu)
[CS8144-0047-0018] 離散式電路元件的制作方法
[CS8144-0196-0019] 等離子體處理裝置
[CS8144-0075-0020] 非揮發(fā)性?xún)?nèi)存及其制造方法
[CS8144-0006-0021] 紫外線程序化的P型罩幕式只讀存儲(chǔ)器及其制造方法
[CS8144-0049-0022] 多屬層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及測(cè)試金屬層間介電層強(qiáng)度的方法
[CS8144-0078-0023] 具位於主動(dòng)胞元陣列外的屏蔽電和較小閘-汲電容的電晶體排列
[CS8144-0060-0024] 具有非氧化銅線的半導(dǎo)體封裝
[CS8144-0110-0025] 半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造工藝
[CS8144-0177-0026] 非易失性存儲(chǔ)器單元陣列和形成方法
[CS8144-0022-0027] 薄膜晶體管
[CS8144-0175-0028] 電源電路裝置
[CS8144-0182-0029] 發(fā)光材料和發(fā)光器件
[CS8144-0005-0030] 無(wú)接觸區(qū)形成于存儲(chǔ)單元區(qū)的分柵快閃存儲(chǔ)單元陣列結(jié)構(gòu)
[CS8144-0105-0031] 在半導(dǎo)體襯底上制造無(wú)源元件的方法
[CS8144-0086-0032] 半導(dǎo)體發(fā)光芯片及半導(dǎo)體發(fā)光器件
[CS8144-0206-0033] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[CS8144-0213-0034] 無(wú)鉻相移掩膜及使用該掩膜的設(shè)備
[CS8144-0130-0035] 相對(duì)于未摻雜二氧化硅和氮化硅能選擇性蝕刻摻雜二氧化硅的蝕刻劑,其使用方法...
[CS8144-0155-0036] 電致發(fā)光裝置
[CS8144-0020-0037] 應(yīng)用于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵電介質(zhì)材料鋁酸鋯薄膜及其制法
[CS8144-0068-0038] 輕薄疊層封裝半導(dǎo)體器件及其制造工藝
[CS8144-0025-0039] 半導(dǎo)體顯示器件
[CS8144-0153-0040] 電源模塊及空調(diào)機(jī)
[CS8144-0135-0041] 自旋偏振載流子轉(zhuǎn)移的方法和設(shè)備
[CS8144-0137-0042] 低介電氮化硅膜及其制造方法和半導(dǎo)體器件及其制造工藝
[CS8144-0129-0043] 磁控管等離子體用磁場(chǎng)發(fā)生裝置、使用該磁場(chǎng)發(fā)生裝置的等離子體蝕刻裝置和方法
[CS8144-0149-0044] 低功率半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
[CS8144-0092-0045] 用硅質(zhì)材料封埋微細(xì)溝的方法和帶硅質(zhì)膜的襯底材料
[CS8144-0117-0046] 在硅酸鹽玻璃中腐蝕雙波紋結(jié)構(gòu)的方法
[CS8144-0161-0047] 制造高溫導(dǎo)體的方法
[CS8144-0014-0048] 具有高介電常數(shù)的復(fù)晶硅柵間介電層的結(jié)構(gòu)及其形成方法
[CS8144-0124-0049] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[CS8144-0120-0050] 半導(dǎo)體集成電路器件
[CS8144-0192-0051] 半導(dǎo)體器件的制造裝置和制造系統(tǒng)
[CS8144-0145-0052] 用于FIMS系統(tǒng)的裝箱接口設(shè)備
[CS8144-0159-0053] 固體成像器件的制造方法
[CS8144-0121-0054] 包括可焊熱界面的電子組件及其制造方法
[CS8144-0012-0055] 半導(dǎo)體器件及其制造方法和功率放大器模塊
[CS8144-0131-0056] 改進(jìn)的氟摻雜二氧化硅薄膜
[CS8144-0055-0057] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
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[CS8144-0193-0059] 氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
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[CS8144-0147-0063] 半導(dǎo)體薄膜及半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、集成電路、電光學(xué)裝置及電子...
[CS8144-0209-0064] 半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法、以及電層連接結(jié)構(gòu)
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[CS8144-0178-0066] 半導(dǎo)體裝置及其制造方法
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