針對逆變器應(yīng)用的MOSFET的要求包括：
特定的導(dǎo)通電阻（RSP）應(yīng)該較小，來減少導(dǎo)通損耗。器件到器件的RDSON變化應(yīng)該較小，這有兩個目的：在逆變器輸出端的DC分量較少，且該RDSON可以用于電流檢測來控制異常狀況（主要在低壓逆變器中）；對于相同的RDSON，低RSP可以減少晶圓尺寸，從而降。
當(dāng)晶圓尺寸減小時，可以使用非箝位感應(yīng)開關(guān)（UIS）。應(yīng)該采用良好的UIS來設(shè)計MOSFET單元結(jié)構(gòu)，且不能有太多的讓步。通常，對于相同的晶圓尺寸，相比平面MOSFET，現(xiàn)代溝槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圓減小了熱阻（RthJC），在這種情況下，較低的品質(zhì)因數(shù)（FOM）可以表示為RSP×RthJC/UIS。3.良好的工作區(qū)（SOA）和較低的跨導(dǎo)。
會有少量柵漏電容（CGD）（米勒電荷），但CGD/CGS比須低。適度高的CGD可以幫助減少EMI。低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了擊穿的可能性。這些逆變器不在高頻下工作，因而允許柵R有少許增加。因為這些逆變器工作在中等頻率上，所以可以允許有稍高的CGD和CGS。
即使在該應(yīng)用中工作頻率已較低，但降低COSS有助于減少開關(guān)損耗。同時也允許稍微COSS。
開關(guān)期間的COSS和CGD突變會引起柵振蕩和較高過沖，長時間后將有可能損壞柵。這種情況下，高源漏dv/dt會成為問題。
高柵閾值電壓（VTH）可以實現(xiàn)更好的噪性和更好的MOSFET并聯(lián)。VTH應(yīng)該過3V。
體二管恢復(fù)：需要具有低反向恢復(fù)電荷（QRR）和低反向恢復(fù)時間（tRR）的更軟、更快的體二級管。同時，軟度因子S（Tb/Ta）應(yīng)大于1。這將減小體二管恢復(fù)dv/dt及逆變器直通的可能性。活躍的體二管會引起擊穿和高壓問題。
在某些情況下，需要高（IDM）脈沖漏電流能力來提供高（ISC）短路電流擾度、高輸出濾波器充電電流和高電機起動電流。
通過控制MOSFET的開通和關(guān)斷、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通過在晶圓上使用更多的絲焊來減少共源電感。
在快速體二管MOSFET中，體二管的電荷生命周期縮短，因而使得tRR和QRR減小，這導(dǎo)致帶體二管的MOSFET與外延二管相似。該特性使得該MOSFET成為針對各種不同應(yīng)用的高頻逆變器（包括太陽能逆變器）的選擇。至于逆變器橋臂，二管由于無功電流而被迫正向?qū)?，這使得它的特性更為重要。常規(guī)MOSFET體二管通常具有長反向恢復(fù)時間和高QRR。如果在負(fù)載電流從二管向逆變器橋臂的互補MOSFET轉(zhuǎn)換的過程中，體二管被迫正向?qū)?，那么?/span>tRR的整個時間段，電源將被抽走很大的電流。這增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是重要的，尤其是對于太陽能逆變器而言。
活躍體二管還會引入瞬時直通狀況，例如，當(dāng)其在高dv/dt下恢復(fù)，米勒電容中的位移電流能夠?qū)懦潆姷?/span>VTH以上，同時互補MOSFET會試圖導(dǎo)通。這可能引起總線電壓的瞬時短路，增加功率耗散并導(dǎo)致MOSFET失效。為避免此現(xiàn)象，可連接外部的SiC或常規(guī)硅二管與MOSFET反向并聯(lián)。因為MOSFET體二管的正向電壓較低，肖特基二管須與MOSFET串聯(lián)連接。另外，還須在MOSFET與肖特基二管組合的兩端跨接反并聯(lián)SiC。當(dāng)MOSFET反偏時，外部SiC二管導(dǎo)通，并且串接的肖特基二管不允許MOSFET體二管導(dǎo)通。這種方案在太陽能逆變器中已經(jīng)變得普及，可以效率，但卻增加了成本。
飛兆半導(dǎo)體采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一種高壓MOSFET技術(shù)功率器件，適合以上所列應(yīng)用。與UniFET MOSFET相比，由于RSP減小，UniFET II器件的晶圓尺寸也減小，這有助于改進(jìn)體二管恢復(fù)特性。這種器件目前有兩個版本：具有較好體二管的F型FRFET器件，和具有市場上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆變器橋臂中的SiC和肖特基二管，同時相同的效率并降。在這種情況下，QRR已經(jīng)從3100nC減少到260nC，并且二管開關(guān)損耗也顯著降低。
特定的導(dǎo)通電阻（RSP）應(yīng)該較小，來減少導(dǎo)通損耗。器件到器件的RDSON變化應(yīng)該較小，這有兩個目的：在逆變器輸出端的DC分量較少，且該RDSON可以用于電流檢測來控制異常狀況（主要在低壓逆變器中）；對于相同的RDSON，低RSP可以減少晶圓尺寸，從而降。
當(dāng)晶圓尺寸減小時，可以使用非箝位感應(yīng)開關(guān)（UIS）。應(yīng)該采用良好的UIS來設(shè)計MOSFET單元結(jié)構(gòu)，且不能有太多的讓步。通常，對于相同的晶圓尺寸，相比平面MOSFET，現(xiàn)代溝槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圓減小了熱阻（RthJC），在這種情況下，較低的品質(zhì)因數(shù)（FOM）可以表示為RSP×RthJC/UIS。3.良好的工作區(qū)（SOA）和較低的跨導(dǎo)。
會有少量柵漏電容（CGD）（米勒電荷），但CGD/CGS比須低。適度高的CGD可以幫助減少EMI。低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了擊穿的可能性。這些逆變器不在高頻下工作，因而允許柵R有少許增加。因為這些逆變器工作在中等頻率上，所以可以允許有稍高的CGD和CGS。
即使在該應(yīng)用中工作頻率已較低，但降低COSS有助于減少開關(guān)損耗。同時也允許稍微COSS。
開關(guān)期間的COSS和CGD突變會引起柵振蕩和較高過沖，長時間后將有可能損壞柵。這種情況下，高源漏dv/dt會成為問題。
高柵閾值電壓（VTH）可以實現(xiàn)更好的噪性和更好的MOSFET并聯(lián)。VTH應(yīng)該過3V。
體二管恢復(fù)：需要具有低反向恢復(fù)電荷（QRR）和低反向恢復(fù)時間（tRR）的更軟、更快的體二級管。同時，軟度因子S（Tb/Ta）應(yīng)大于1。這將減小體二管恢復(fù)dv/dt及逆變器直通的可能性。活躍的體二管會引起擊穿和高壓問題。
在某些情況下，需要高（IDM）脈沖漏電流能力來提供高（ISC）短路電流擾度、高輸出濾波器充電電流和高電機起動電流。
通過控制MOSFET的開通和關(guān)斷、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通過在晶圓上使用更多的絲焊來減少共源電感。
在快速體二管MOSFET中，體二管的電荷生命周期縮短，因而使得tRR和QRR減小，這導(dǎo)致帶體二管的MOSFET與外延二管相似。該特性使得該MOSFET成為針對各種不同應(yīng)用的高頻逆變器（包括太陽能逆變器）的選擇。至于逆變器橋臂，二管由于無功電流而被迫正向?qū)?，這使得它的特性更為重要。常規(guī)MOSFET體二管通常具有長反向恢復(fù)時間和高QRR。如果在負(fù)載電流從二管向逆變器橋臂的互補MOSFET轉(zhuǎn)換的過程中，體二管被迫正向?qū)?，那么?/span>tRR的整個時間段，電源將被抽走很大的電流。這增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是重要的，尤其是對于太陽能逆變器而言。
活躍體二管還會引入瞬時直通狀況，例如，當(dāng)其在高dv/dt下恢復(fù)，米勒電容中的位移電流能夠?qū)懦潆姷?/span>VTH以上，同時互補MOSFET會試圖導(dǎo)通。這可能引起總線電壓的瞬時短路，增加功率耗散并導(dǎo)致MOSFET失效。為避免此現(xiàn)象，可連接外部的SiC或常規(guī)硅二管與MOSFET反向并聯(lián)。因為MOSFET體二管的正向電壓較低，肖特基二管須與MOSFET串聯(lián)連接。另外，還須在MOSFET與肖特基二管組合的兩端跨接反并聯(lián)SiC。當(dāng)MOSFET反偏時，外部SiC二管導(dǎo)通，并且串接的肖特基二管不允許MOSFET體二管導(dǎo)通。這種方案在太陽能逆變器中已經(jīng)變得普及，可以效率，但卻增加了成本。
飛兆半導(dǎo)體采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一種高壓MOSFET技術(shù)功率器件，適合以上所列應(yīng)用。與UniFET MOSFET相比，由于RSP減小，UniFET II器件的晶圓尺寸也減小，這有助于改進(jìn)體二管恢復(fù)特性。這種器件目前有兩個版本：具有較好體二管的F型FRFET器件，和具有市場上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆變器橋臂中的SiC和肖特基二管，同時相同的效率并降。在這種情況下，QRR已經(jīng)從3100nC減少到260nC，并且二管開關(guān)損耗也顯著降低。
