IRF730-MOS管-場效應(yīng)管-MOSFET

概述
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

產(chǎn)品特性：

熱阻低、開關(guān)速度快、輸入阻高、合RoHS規(guī)范

主要參數(shù)：

漏-源電壓VDS≥400V  漏電流ID=5.5A 導(dǎo)通電阻RDS≤1ohm