場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

  （1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；

?。?）場效應管的輸入端電流小，因此它的輸入電阻很大。

?。?）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

?。?）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

?。?）場效應管的輻射能力強；

?。?）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。