場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

  （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS來(lái)控制ID；

?。?）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流小，因此它的輸入電阻很大。

?。?）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

　（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

?。?）場(chǎng)效應(yīng)管的輻射能力強(qiáng)；

?。?）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。