BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導(dǎo)率測(cè)試裝置

前沿：

玻璃表面電阻率和體積電阻率：

  此式在玻璃高黏度區(qū)(107~1013Pa·s)或低黏度區(qū)(《103Pa·s)是正確的,但兩者有不同的常數(shù)n。 而在中間區(qū),指數(shù)n是變化的.電介質(zhì)的溫度穩(wěn)定性以比電阻等于100M0.cm,即1080·cm 的溫度TK-100表征。

在分析固態(tài)玻璃的電性質(zhì)時(shí),除體積電導(dǎo)率外,還必須考慮表面電導(dǎo)率。D在玻璃表面存在水化膜、低于100~120"C的溫度范圍內(nèi);

2.在玻璃表層可與周圍氣體介質(zhì)進(jìn)行氧化-還原反應(yīng)的條件下; 

3.在玻璃制品表面有人為的半導(dǎo)體膜、絕緣膜及透光膜的情況下,表面電導(dǎo)率較大,甚至有舉足輕重的作用。表面比電導(dǎo)率x和表面比電阻率o.是指邊長1cm的正方表面上的電導(dǎo)率(電阻率)。

當(dāng)溫度低于100'C時(shí),潮濕空氣中,玻璃的表面電導(dǎo)率比體積電導(dǎo)率大得多.表面電導(dǎo)率主要取決于玻璃的組成、空氣的濕度和溫度。 溫度和濕度增加,表面電阻率增加。

 玻璃的表面狀態(tài)對(duì)表面電導(dǎo)率影響很大。玻璃表面涂層是改變玻璃表面電導(dǎo)率的方法。 如采用涂覆憎水層(如有機(jī)硅化合物、石蠟等)可降低玻璃表面導(dǎo)電性; 表面涂覆具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化物或金屬薄膜可增加玻璃表面電導(dǎo)性。

如果不特別說明,下面討論的是體積電性質(zhì)。關(guān)于玻璃的導(dǎo)電機(jī)理,可從過程的活化能值推斷。活化能U。(見式p=A,e)玻璃體積電阻率p及電流傳導(dǎo)機(jī)理之間存在統(tǒng)計(jì)平均關(guān)系,即在P200c和T平衡條件中,氧化物玻璃發(fā)生電子導(dǎo)電的活化能值比陽離子導(dǎo)電時(shí)小。

圖4-6示出陽離子導(dǎo)電區(qū)和電子導(dǎo)電區(qū)的統(tǒng)計(jì)平均界線。 硫?qū)倩锊ＡШ头锊ＡР淮嬖谶@種界線。玻璃的電導(dǎo)率與其化學(xué)組成、溫度及熱力史有關(guān)。堿金屬氧化物對(duì)玻璃電導(dǎo)率影響特別顯著,存在混合堿效應(yīng)。 

 引人少量Al2O3時(shí),形成[AlO4],電阻率降低,較多引入時(shí),形成[AIOs],電阻率升高.當(dāng)B203為[BO4]時(shí),電阻率升高,當(dāng)B203為[BO3]時(shí),電阻率降低,高場(chǎng)強(qiáng),高配位的離子如Y3+,La3+等填充在網(wǎng)絡(luò)空隙中,阻礙了金屬離子的移動(dòng),使電導(dǎo)率降低.電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加,Tg以下,玻璃的結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定,可用下式表示:lgK=A-B/T(4-32)Tg~T.以上,玻璃結(jié)構(gòu)的質(zhì)點(diǎn)發(fā)生了重排,離子的電導(dǎo)活化能不再保持常數(shù),上式不再適用.T以上,可用下株式表示:B1lgk=A1-元e(4-33)A1,B1,a1是與玻璃組成有關(guān)的常數(shù)。

在電真空工業(yè)中,常用TK-100(即電阻率為100M·cm時(shí)所需溫度)來衡量玻璃的電絕緣性.TK-100越高,玻璃的電絕緣性越好。熱處理對(duì)玻璃的電導(dǎo)率有很大的影響,離子導(dǎo)電的玻璃經(jīng)淬火后其電導(dǎo)率較退火玻璃高,玻璃微晶化后能大大提高其電絕緣性,提高程度與析出晶相的種類及玻璃相的組成有關(guān)。

 此外,分相也會(huì)影響玻璃的電導(dǎo)率,但不同的分相結(jié)構(gòu),影響也不同。

BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導(dǎo)率測(cè)試裝置是一款專門應(yīng)用于熔融玻璃電導(dǎo)率測(cè)量的，它是一種在高溫下測(cè)量玻璃熔體的電導(dǎo)率(電阻率）的裝置。熔體的電導(dǎo)率是用雙電極法測(cè)量的,是目前研究高溫熔融玻璃電導(dǎo)率的重要設(shè)備。

二、儀器特點(diǎn)

1、多功能真空加熱爐，可實(shí)現(xiàn)高溫、真空、氣氛環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試

2、采用鉑材料作為導(dǎo)線、以減少信號(hào)衰減、提高測(cè)試精度

3、可以測(cè)量玻璃材料的電阻、電阻率

一、應(yīng)用說明：

符合：符合GB/T31838、1410等

二、主要技術(shù)參數(shù)：

1、溫度：常溫--1400℃

2、電阻測(cè)量范圍：10^4Ω～10^16Ω

3、電阻測(cè)量精度： 當(dāng)電阻≤1010Ω，電阻精度在2%以內(nèi)，當(dāng)電阻＞1010Ω，電阻精度在10%以內(nèi)升溫速率0-10°C/min，典型值3°C/min

4、電極尺寸：25mm，38mm，50mm，樣品厚度2mm

5、電壓: 0~1000V

6、電極：三環(huán)電極高溫

7、控溫精度：±1°C

8、高溫環(huán)境：密封測(cè)試環(huán)境，N2氣氛，氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子（自備）

9、設(shè)置有排氣口，排氣口添加過濾裝置（如活性炭等）

10、軟件功能：可連續(xù)升溫測(cè)試，直接得到體積電阻率、表面電阻率隨溫度變化的曲線

11、溫控功能：可分段升溫測(cè)試，在某一溫度點(diǎn)設(shè)置持續(xù)時(shí)間，直接得到體積電阻率、表面電阻率隨時(shí)間變化的曲線

12、供電：220V±10%，50Hz
13、工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；
14、設(shè)備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm （以實(shí)際為準(zhǔn)）
15、重量：30kg