進(jìn)口存儲(chǔ)芯片

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　功率： 0.001
　　類型： 通信IC
　　頻率： 55
　　型號(hào)： IS62WV5128BLL-55HLI
　　批號(hào)： 2012+
　　用途： 影碟機(jī)
　　品牌： ISSI
　　電源電壓： 3.6V
　　封裝： TSOP32
　　產(chǎn)品種類 SRAM
　　封裝-箱體 STSOP-I
　　工作電源電壓 3.3 V
　　存儲(chǔ)容量 4 Mbit
　　工作溫度 + 85 C
　　最小工作溫度 - 40 C
　　類型 Asynchronous
　　訪問時(shí)間 55 ns
　　組織 512 K x 8
　　端口數(shù)量 Single
　　安裝風(fēng)格 SMD/SMT
　　工作電流 15 mA
　　接口 TTL

 

　　

現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下：
　　◎優(yōu)點(diǎn)：節(jié)能、速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
　　◎缺點(diǎn)：集成度低，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
　　◎SRAM使用的系統(tǒng)：
　　○CPU與主存之間的高速緩存。
　　○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。
　　○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
　　SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2 C ache）。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
　　SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （Asynchronous SRAM,異步SRAM）、Sync SRAM （Synchronous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM, 流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。
　　基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器（decode），靈敏放大器（Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅(qū)動(dòng)電路（FFIO）。 SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

 

 

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