原裝閃存IC

產(chǎn)品參數(shù)：

 

 

　　是否提供加工定制： 否
　　品牌： Numonyx/恒憶
　　型號： NAND01GW3B2CN6F
　　封裝： TSOP48
　　批號： 2010+
　　類型： 存儲器
　　產(chǎn)品種類 閃存
　　封裝-箱體 TSOP
　　組織 128K Byte x 1024
　　電源電壓 3.6 V
　　最小電源電壓 2.7 V
　　數(shù)據(jù)總線寬度 8 bit
　　存儲容量 1 Gbit
　　訪問時間 25000 ns
　　定時類型 Asynchronous
　　工作電流 30 mA
　　最小工作溫度 0 C
　　工作溫度 + 70 C

 

　　要講解閃存的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
　　EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS.它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D.在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0,浮空柵極帶電后（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1.
　　EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG.若VG為正電壓，浮空柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。
　　閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用級浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節(jié)擦除，而是全片或分塊擦除。 到后來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改進，閃存也實現(xiàn)了單晶體管（1T）的設(shè)計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動?xùn)藕瓦x擇柵，
　　在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮動棚。浮動?xùn)虐粚庸柩趸そ^緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導(dǎo)電流的選擇/控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動?xùn)胖惺欠裼须娮印Ｓ须娮訛?,無電子為1.
　　閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進行初始化。具體說就是從所有浮動?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”.
　　寫入時只有數(shù)據(jù)為0時才進行寫入，數(shù)據(jù)為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導(dǎo)的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動?xùn)拧?br />　　讀取數(shù)據(jù)時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1,電流小則定為0.浮動?xùn)艣]有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會產(chǎn)生電流。而在浮動?xùn)庞须娮拥臓顟B(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導(dǎo)的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動?xùn)烹娮游蘸螅茈y對溝道產(chǎn)生影響。

 

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