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型號(hào):SST39VF800A-70-4I-B3KE
品牌:SST存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器類型 NOR Flash
速度 70NS
工作電壓 2.7~3.6V
封裝-箱體 4800
封裝 BGA48
存儲(chǔ)容量 8 Mbit
最小溫度范圍 -40℃
工作溫度 +85℃
由1988年INTEL公司首先開(kāi)發(fā)出NOR FLASH技術(shù),徹底顛覆了原先EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面;緊接1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了NAND FLASH結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)以成本為主,降低每bit的成本,具有更高的性能,并且能像硬盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NOR FLASH和NAND FLASH是目前市面上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR FLASH 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP ,eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在FLASH閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于FLASH的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多,在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮這些情況。