單塊式SuperFlash

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　類型： 存儲(chǔ)器
　　品牌： SST
　　型號(hào)： SST39VF1681-70-4C-EKE
　　工作溫度范圍 0°C to + 70°C
　　封裝類型 TSOP
　　針腳數(shù) 48
　　工作溫度 0°
　　工作溫度 +70°C
　　電源電壓 3.6V
　　最小電源電壓 2.7V
　　表面安裝器件 表面安裝
　　重量 0.00003
　　存儲(chǔ)器類型 Flash, NOR
　　存儲(chǔ)器配置 2M x 8bit
　　存儲(chǔ)器容量 16Mbit
　　電源電壓范圍 2.7V to 3.6V
　　訪問(wèn)時(shí)間 70ns
　　接口 Parallel
　　接口類型 Parallel
　　扇區(qū)類型 底部引導(dǎo)

 

 

 　　從物理層面解釋，NOR閘閃存的每個(gè)存儲(chǔ)單元類似一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET,除了晶體管有兩個(gè)而不是一個(gè)閘極。在頂部的是控制閘（CONTROL Gate,CG），它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物層與周遭絕緣的浮閘（Floathing Gate,FG）。由于這個(gè)FG在電氣程度上是出于絕緣層獨(dú)立的，所以湖邊人員的毒啊班組會(huì)被困在里面，在一般的條件下，電荷經(jīng)過(guò)很長(zhǎng)時(shí)間都不會(huì)產(chǎn)生逃逸的情況。將FG放在CG與MOSFET通道之間。當(dāng)FG抓到電荷時(shí)，它部分屏蔽掉來(lái)自CG的電場(chǎng)，并改變這個(gè)單元的閥電壓（VT）。在讀出期間。利用向CG的電壓，MOSFET通道會(huì)變的導(dǎo)電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定（而該單元的VT受到FG上的電荷控制）。這股電流流過(guò)MOSFET通道，并以二進(jìn)制碼的方式讀出、再現(xiàn)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在每單元存儲(chǔ)1位以上的數(shù)據(jù)的MLC設(shè)備中，為了能夠更精確的測(cè)定FG中的電荷位準(zhǔn)，則是以感應(yīng)電流的量（而非單純的有或無(wú)）達(dá)成的。

 

　　邏輯上，單層NOR FLASH單元在默認(rèn)狀態(tài)代表二進(jìn)制碼中的“1”值，因?yàn)樵谝蕴囟ǖ碾妷褐悼刂崎l極時(shí)，電流會(huì)流經(jīng)通道。經(jīng)由以下流程，NOR FLASH 單元可以被設(shè)置為二進(jìn)制碼中的“0”值。
　　1. 對(duì)CG施加高電壓（通常大于5V）。
　　2. 現(xiàn)在通道是開的，所以電子可以從源極流入汲極（想像它是NMOS晶體管）。
　　3. 源-汲電流夠高了，足以導(dǎo)致某些高能電子越過(guò)絕緣層，并進(jìn)入絕緣層上的FG,這種過(guò)程稱為熱電子注入。

 

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