低功耗SRAM

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　類型：存儲器
　　品牌：ISSI
　　型號：IS61LV51216-10TLI
　　封裝：TSOP44
　　批號：2012+
　　產(chǎn)品種類 SRAM
　　封裝-箱體 TSOP-II
　　工作電源電壓 3.3 V
　　存儲容量 8 Mbit
　　工作溫度 + 85 C
　　最小工作溫度 - 40 C
　　類型 Asynchronous
　　訪問時間 10 ns
　　組織 512 K x 16
　　端口數(shù)量 Single
　　安裝風格 SMD/SMT
　　工作電流 110 mA
　　接口 TTL

 

　　一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

 

      ◎優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
　　◎缺點，集成度低，掉電不能保存數(shù)據(jù)，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
　　◎SRAM使用的系統(tǒng)：
　　○CPU與主存之間的高速緩存。
　　○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。
　　○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

 

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