ISSI低功耗存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　類型： 存儲器
　　品牌： ISSI
　　型號： IS62C256AL-45ULI
　　存儲容量： 256K
　　電源電壓： 2.7-3.6
　　針腳數(shù)： 28
　　封裝： SOP28
　　批號： 2010
　　產(chǎn)品種類 SRAM
　　封裝-箱體 SOP-28
　　封裝 Tube
　　工作電源電壓 5 V
　　存儲容量 256 Kbit
　　工作溫度 + 85 C
　　最小工作溫度 - 40 C
　　類型 Asynchronous
　　訪問時間 45 ns
　　組織 32 K x 8
　　端口數(shù)量 Single
　　安裝風(fēng)格 SMD/SMT
　　工作電流 20 mA
　　接口 TTL

 

      ◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
　　◎缺點(diǎn)，集成度低，掉電不能保存數(shù)據(jù)，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
　　◎SRAM使用的系統(tǒng)：
　　○CPU與主存之間的高速緩存。
　　○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。
　　○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

 

　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。

 

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