ISSI高速存儲器IS62WV12816BLL-55TLI

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　類型： 存儲器
　　品牌： ISSI
　　型號： IS62WV12816BLL-55TLI
　　封裝： TSOP
　　批號： 2010+
　　產(chǎn)品種類 SRAM
　　封裝-箱體 TSOP-II
　　工作電源電壓 3.3 V
　　存儲容量 2 Mbit
　　工作溫度 + 85 C
　　最小工作溫度 - 40 C
　　類型 Asynchronous
　　訪問時間 55 ns
　　組織 128 K x 16
　　端口數(shù)量 Single
　　安裝風(fēng)格 SMD/SMT
　　工作電流 3 mA
　　接口 TTL

 

 

      存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲器可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。

 

　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。 

分類：　　　

按存儲介質(zhì)
　　半導(dǎo)體存儲器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。
　　磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
　　

按存儲方式
　　隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。
　　順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關(guān)。
　　

按讀寫功能
　　只讀存儲器（ROM）：存儲的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲器。
　　隨機讀寫存儲器（RAM）：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲器。
　　

按信息保存性
　　非記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。
　　記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。

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