SST29EE010-70-4I-PHE

　　型號(hào)：SST29EE010-70-4I-PHE
　　品牌：SST
　　存儲(chǔ)器類型 Parallel Flash
　　速度 70NS
　　工作電壓 4.5~5.5V
　　封裝-箱體 550
　　封裝 DIP32
　　存儲(chǔ)容量 1 Mbit
　　最小溫度范圍 -40℃
　　工作溫度 +85℃
　　
可靠性和耐用性
　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖陀眯裕?、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
　　
壽命（耐用性）
　　在NAND閃存中每個(gè)塊的擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。