PCT存儲(chǔ)器原廠

產(chǎn)品參數(shù)：

　　類型：通信IC
　　頻率：80
　　型號(hào)：PCT25VF064C-80-4I-SCE
　　批號(hào)：2012+
　　品牌：PCT
　　針腳數(shù)：16
　　電源電壓：2.7-3.6
　　封裝：SOIC8
　　存儲(chǔ)器類型 NOR Flash
　　頻率 80MHZ
　　工作電壓 2.7~3.6V
　　封裝-箱體 3680
　　封裝 SOIC16
　　存儲(chǔ)容量 64M（8Mx8）
　　最小溫度范圍 -40℃
　　工作溫度 +85℃

　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下（很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多），一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。
　　一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問題，多讀幾次就可能解決了。
　　當(dāng)然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正（EDC/ECC）算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。
　　這個(gè)問題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。

　　flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0.
　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms.
　　執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時(shí)），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
　　l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　3 、NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　4 、大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　5 、NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
　　此外，NAND的實(shí)際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接運(yùn)行代碼；而NAND需要I/O接口，因此使用時(shí)需要驅(qū)動(dòng)程序。不過當(dāng)今流行的操作系統(tǒng)對(duì)NAND結(jié)構(gòu)的Flash都有支持。此外，Linux內(nèi)核也提供了對(duì)NAND結(jié)構(gòu)的Flash的支持。

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