W9812G6JH-6原裝存儲(chǔ)器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　產(chǎn)品類型 SDRAM               速度 166MHz
　　工作電壓 3.3V±0.3V          封裝-箱體 864
　　封裝 TSOP54                    存儲(chǔ)容量 128M（8Mx16）
　　最小溫度范圍 0℃              工作溫度 70℃

 

　　Description The W9812G6JH is a 128M SDRAM and speed involving -5/-6/-6I/-6A/-75
　　Status: Mass Production
　　Features -3.3V± 0.3V power supply
　　             -Up to 200 MHz Clock Frequency
　　             - 2,097,152 Words × 4 banks × 16 bits organization
　　             -Self Refresh Mode
　　             -CAS Latency: 2 and 3
　　             -Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page
　　             -Burst Read, Single Writes Mode
　　             -Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
　　             -Auto-precharge and controlled precharge
　　             -4K refresh cycles/64 mS
　　             -Interface: LVTTL
　　Diagram N/A
　　Package TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free with RoHS compliant
　　Spice Model N/A
　　Development Tools N/A
　　Others N/A

 

 

影響性能的主要時(shí)序參數(shù)
　　所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因?yàn)橐忻?、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時(shí)間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。
　　非數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應(yīng)該很明顯看出有三個(gè)參數(shù)對內(nèi)存的性能影響至關(guān)重要，它們是tRCD、CL和tRP.每條正規(guī)的內(nèi)存模組都會(huì)在標(biāo)識上注明這三個(gè)參數(shù)值，可見它們對性能的敏感性。
　　以內(nèi)存最主要的操作--讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進(jìn)行真正被讀取所花費(fèi)的時(shí)間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時(shí)可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時(shí)不用考慮CL即可）：
　　1.要尋址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關(guān)閉的，此時(shí)可直接發(fā)送行有效命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)為tRCD+CL,這種情況我們稱之為頁命中（PH,Page Hit）。
　　2.要尋址的行正好是前一個(gè)操作的工作行，也就是說要尋址的行已經(jīng)處于選通有效狀態(tài)，此時(shí)可直接發(fā)送列尋址命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)僅為CL,這就是所謂的背靠背（Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH,Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH,Page Direct Hit）。
　　3.要尋址的行所在的L-Bank中已經(jīng)有一個(gè)行處于活動(dòng)狀態(tài)（未關(guān)閉），這種現(xiàn)象就被稱作尋址沖突，此時(shí)就必須要進(jìn)行預(yù)充電來關(guān)閉工作行，再對新行發(fā)送行有效命令。結(jié)果，總耗時(shí)就是tRP+tRCD+CL,這種情況我們稱之為頁錯(cuò)失（PM,Page Miss）。
　　顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。上述三種情況發(fā)生的機(jī)率各自簡稱為PHR--PH Rate、PFHR--PFH Rate、PMR--PM Rate.因此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員（包括內(nèi)存與北橋芯片）都盡量想提高PHR與PFHR,同時(shí)減少PMR,以達(dá)到提高內(nèi)存工作效率的目的。

 

　　寶星微公司成立于95年，一直專于SST、ISSI、PCT、GLS、EXAR以及SDRAM~SAMSUNG、HYNIX產(chǎn)品的推廣及應(yīng)用，致力于向通訊、工控以及電子消費(fèi)類等領(lǐng)域提供技術(shù)支持及產(chǎn)品零件供應(yīng)。十多年以來，寶星微公司對產(chǎn)品質(zhì)量的控制始終保持一貫嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)，在業(yè)內(nèi)積累起較高的信譽(yù)。

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