產(chǎn)品參數(shù):
存儲器類型 Flash Flex MCU 頻率 33MHz
工作電壓 2.7~3.6V 封裝-箱體 1300
封裝 PLCC44 存儲容量 64KB+8KB
最小溫度范圍 0℃ 工作溫度 +70℃
功率:33 存儲容量:64K+8
批號:2012+ 針腳數(shù):44
類型:存儲器 型號:SST89V516RD2-33-C-NJE
品牌:SST 用途:報(bào)警器
工作原理:
動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計(jì)一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲單元,鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。
當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時,CPU首先將行地址加在A0-A7上,而后送出RAS鎖存信號,該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS鎖存信號,也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1,則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。
當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時,行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部,然后,WE有效,加上要寫入的數(shù)據(jù),則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。
由于電容不可能長期保持電荷不變,必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作,以保持電荷穩(wěn)定,這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計(jì)數(shù)器1,每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求,該請求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時,DMA控制器送出到刷新地址信號,對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。
原理分類:
按照與CPU的接近程度,存儲器分為內(nèi)存儲器與外存儲器,簡稱內(nèi)存與外存。內(nèi)存儲器又常稱為主存儲器(簡稱主存),屬于主機(jī)的組成部分;外存儲器又常稱為輔助存儲器(簡稱輔存),屬于外部設(shè)備。CPU不能像訪問內(nèi)存那樣,直接訪問外存,外存要與CPU或I/O設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,必須通過內(nèi)存進(jìn)行。在80386以上的微機(jī)中,還配置了高速緩沖存儲器(cache),這時內(nèi)存包括主存與高速緩存兩部分。對于低檔微機(jī),主存即為內(nèi)存。
把存儲器分為幾個層次主要基于下述原因:
1、合理解決速度與成本的矛盾,以得到較高的性能價格比。半導(dǎo)體存儲器速度快,但價格高,容量不宜做得很大,因此僅用作與CPU頻繁交流信息的內(nèi)存儲器。磁盤存儲器價格較便宜,可以把容量做得很大,但存取速度較慢,因此用作存取次數(shù)較少,且需存放大量程序、原始數(shù)據(jù)(許多程序和數(shù)據(jù)是暫時不參加運(yùn)算的)和運(yùn)行結(jié)果的外存儲器。計(jì)算機(jī)在執(zhí)行某項(xiàng)任務(wù)時,僅將與此有關(guān)的程序和原始數(shù)據(jù)從磁盤上調(diào)入容量較小的內(nèi)存,通過CPU與內(nèi)存進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)處理,然后將最終結(jié)果通過內(nèi)存再寫入磁盤。這樣的配置價格適中,綜合存取速度則較快。
為解決高速的CPU與速度相對較慢的主存的矛盾,還可使用高速緩存。它采用速度很快、價格更高的半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器,甚至與微處理器做在一起,存放當(dāng)前使用最頻繁的指令和數(shù)據(jù)。當(dāng)CPU從內(nèi)存中讀取指令與數(shù)據(jù)時,將同時訪問高速緩存與主存。如果所需內(nèi)容在高速緩存中,就能立即獲?。蝗鐩]有,再從主存中讀取。高速緩存中的內(nèi)容是根據(jù)實(shí)際情況及時更換的。這樣,通過增加少量成本即可獲得很高的速度。
2、使用磁盤作為外存,不僅價格便宜,可以把存儲容量做得很大,而且在斷電時它所存放的信息也不丟失,可以長久保存,且復(fù)制、攜帶都很方便。