SST39VF800A-70-4I-EKE存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　存儲器類型 NOR Flash                            速度 70NS
　　工作電壓 2.7~3.6V                               封裝-箱體 960
　　封裝 TSOP48                                       存儲容量 8 Mbit
　　最小溫度范圍 -40℃                               工作溫度 +85℃
　　類型： 存儲器                                      品牌： SST
　　型號： SST39VF800A-70-4I-EKE             封裝： TSOP48
　　批號： 2010+

 

NOR Flash的訪問方式
　　在NOR FLASH的讀取數(shù)據(jù)的方式來看，它與RAM的方式是相近的，只要能夠提供數(shù)據(jù)的地址，數(shù)據(jù)總線就能夠正確的揮出數(shù)據(jù)。考慮到以上的種種原因，多數(shù)微處理器將NOR FLASH當(dāng)做原地運(yùn)行（Execute in place,XIP）存儲器使用，這其實(shí)以為著存儲在NOR FLASH上的程序不需要復(fù)制到RAM就可以直接運(yùn)行。由于NOR FLASH沒有本地壞區(qū)管理，所以一旦存儲區(qū)塊發(fā)生毀損，軟件或驅(qū)動程序必須接手這個問題，否則可能會     導(dǎo)致設(shè)備發(fā)生異常。 在解鎖、抹除或?qū)懭隢OR FLASH區(qū)塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區(qū)的頁（Page）。接著快閃記憶芯片會提供可用的指令清單給實(shí)體驅(qū)動程序，而這些指令是由一般性閃存接口（Common FLASH memory Interface, CFI）所界定的。 與用于隨機(jī)存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存儲設(shè)備上；不過與NAND FLASH相比，NOR FLASH的寫入速度一般來說會慢很多。

 

　　

可靠性和耐用性
　　采用flahs介質(zhì)時一個需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說，F(xiàn)LASH是非常合適的存儲方案。可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。     壽命（耐用性）      在NAND閃存中每個塊的擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。