SST39VF400A-70-4C-EKE相存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　工作溫度范圍 0°C to + 70°C                封裝類型 TSOP
　　針腳數(shù) 48                                         工作溫度 0°
　　工作溫度 +70°C                           電源電壓 3.6V
　　最小電源電壓 2.7V                             表面安裝器件 表面安裝
　　重量 0.00003                                    存儲器類型 Flash, NOR
　　存儲器配置 256K x 16bit                     存儲器容量 4Mbit
　　電源電壓范圍 2.7V to 3.6V                  訪問時間 70ns
　　接口 Parallel                                       接口類型 Parallel
　　扇區(qū)類型 一致

 

NOR Flash的訪問方式
　　在NOR FLASH的讀取數(shù)據(jù)的方式來看，它與RAM的方式是相近的，只要能夠提供數(shù)據(jù)的地址，數(shù)據(jù)總線就能夠正確的揮出數(shù)據(jù)。考慮到以上的種種原因，多數(shù)微處理器將NOR FLASH當做原地運行（Execute in place,XIP）存儲器使用，這其實以為著存儲在NOR FLASH上的程序不需要復制到RAM就可以直接運行。由于NOR FLASH沒有本地壞區(qū)管理，所以一旦存儲區(qū)塊發(fā)生毀損，軟件或驅(qū)動程序必須接手這個問題，否則可能會     導致設備發(fā)生異常。 在解鎖、抹除或?qū)懭隢OR FLASH區(qū)塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區(qū)的頁（Page）。接著快閃記憶芯片會提供可用的指令清單給實體驅(qū)動程序，而這些指令是由一般性閃存接口（Common FLASH memory Interface, CFI）所界定的。 與用于隨機存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存儲設備上；不過與NAND FLASH相比，NOR FLASH的寫入速度一般來說會慢很多。

 

NOR和NAND詳解
　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
　　像“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。
　　NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP, eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
　　NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。