SST39VF400A-70-4I-EKE存儲器

產品參數(shù)：

 

　　存儲器類型 NOR Flash               速度 70NS
　　工作電壓 2.7~3.6V                  封裝-箱體 960
　　封裝 TSOP48                          存儲容量 4 Mbit
　　最小溫度范圍 -40℃                  工作溫度 +85℃

 

Nor Flash 在實際應用中的讀取方式
　　本實驗是基于TQ2440的實驗平臺，采用S3C2440（ARM9）的CPU,以ADS/MDK的開發(fā)環(huán)境，使用的是AM29LV160DB的NORFLASH,進行開發(fā)學習的一個NOR FLASH的編寫和讀取。     （1）   Nor FLASH 工作模式      Nor FLASH上電后處于數(shù)據(jù)讀取狀態(tài)（Reading Array Data）。此狀態(tài)可以進行正常的讀。這和讀取SDRAM/SRAM/ROM一樣。（要是不一樣的話，芯片上電后如何從NorFLASH中讀取啟動代碼。~）      一般再對FLASH進行操作前都要讀取芯片信息比如設備ID號。這樣做的主要目的是為了判斷自己寫的程序是否支持該設備。    Nor FLASH支持2種方式獲取ID號。一種是編程器所用的方法需要高電壓（11.5V-12.5V）。另一種方法就是所謂的in-system方法，就是在系統(tǒng)中通過NorFLASH的命令寄存器來完成。本文中只對in-system方法進行說明。此時需要切換到自動選擇（Autoselect Command），這要通過發(fā)送命令來完成。命令類型見下圖。注意：      進入自動選擇（Autoselect Command）模式后需要發(fā)送復位命令才能回到數(shù)據(jù)讀取狀態(tài)（Reading Array Data）。      在完成信息獲取后一般就要擦除數(shù)據(jù)。 NorFLASH支持扇區(qū)擦（Sector Erase）除和整片擦除（Chip Erase）。這2種模式都有對應的命令序列。在完成擦除命令后會自動返回到數(shù)據(jù)讀?。≧eading Array Data）狀態(tài)。在返回前可查詢編程的狀態(tài)。      完成擦除后就需要對芯片進行寫入操作也就是編程。這就需要進入編程（Program）狀態(tài)。在完成編程命令后會自動返回到數(shù)據(jù)讀?。≧eading Array Data）狀態(tài)。在返回前可查詢編程的狀態(tài)。注意：編程前一定要先擦除。因為編程只能將‘1’改寫為‘0',通過擦寫可以將數(shù)據(jù)全部擦寫為'1'.

 

 

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