SST芯片存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

 　  存儲器類型 NOR Flash                            速度 70NS
　　工作電壓 2.7~3.6V                               封裝-箱體 960
　　封裝 TSOP48                                       存儲容量 32 Mbit
　　最小溫度范圍 -40℃                               工作溫度 +85℃
　　類型： 存儲器                                      品牌： SST
　　型號： SST39VF3201-70-4C-EKE             封裝： TS48
　　批號： 2010

 

NOR Flash與NAND Flash的比較
　　雖然NOR和NAND兩種技術(shù)在現(xiàn)在的市場上都占有主流的地位，而且經(jīng)過十幾年的歷史，但是現(xiàn)在仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分布清楚NOR和NAND閃存。相“FLASH存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。      NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP, eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在FLASH閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。      NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于FLASH的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
　　
性能比較
　　FLASH閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何FLASH器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0.      由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms.

 

 

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