SST39SF040-70-4I-NHE存儲(chǔ)器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　存儲(chǔ)器類型 NOR Flash                        速度 70NS
　　工作電壓 4.5V~5.5V                         封裝-箱體 1500
　　封裝 PLCC32                                    存儲(chǔ)容量 4Mbit
　　最小溫度范圍 -40℃                           工作溫度 +85℃
　　品牌： SST                                      型號(hào)： SST39SF040-70-4I-NHE
　　封裝： PLCC32                                 批號(hào)： 2010+
　　類型： 存儲(chǔ)器

 

NOR Flash的訪問(wèn)方式
　　在NOR FLASH的讀取數(shù)據(jù)的方式來(lái)看，它與RAM的方式是相近的，只要能夠提供數(shù)據(jù)的地址，數(shù)據(jù)總線就能夠正確的揮出數(shù)據(jù)?？紤]到以上的種種原因，多數(shù)微處理器將NOR FLASH當(dāng)做原地運(yùn)行（Execute in place,XIP）存儲(chǔ)器使用，這其實(shí)以為著存儲(chǔ)在NOR FLASH上的程序不需要復(fù)制到RAM就可以直接運(yùn)行。由于NOR FLASH沒有本地壞區(qū)管理，所以一旦存儲(chǔ)區(qū)塊發(fā)生毀損，軟件或驅(qū)動(dòng)程序必須接手這個(gè)問(wèn)題，否則可能會(huì)     導(dǎo)致設(shè)備發(fā)生異常。 在解鎖、抹除或?qū)懭隢OR FLASH區(qū)塊時(shí)，特殊的指令會(huì)先寫入已繪測(cè)的記憶區(qū)的頁(yè)（Page）。接著快閃記憶芯片會(huì)提供可用的指令清單給實(shí)體驅(qū)動(dòng)程序，而這些指令是由一般性閃存接口（Common FLASH memory Interface, CFI）所界定的。 與用于隨機(jī)存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存儲(chǔ)設(shè)備上；不過(guò)與NAND FLASH相比，NOR FLASH的寫入速度一般來(lái)說(shuō)會(huì)慢很多。
　　

可靠性和耐用性
　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，F(xiàn)LASH是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖陀眯裕⑽唤粨Q和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。     壽命（耐用性）      在NAND閃存中每個(gè)塊的擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些