SST39VF1681-70-4I-EKE存儲(chǔ)器

產(chǎn)品參數(shù)：

 

　　工作溫度范圍 -40°C to + 85°C                            封裝類型 TSOP
　　針腳數(shù) 48                                                        工作溫度 -40°
　　工作溫度 +85°C                                         電源電壓 3.6V
　　最小電源電壓 2.7V                                           表面安裝器件 表面安裝
　　重量 0.00003                                                  存儲(chǔ)器類型 Flash, NOR
　　存儲(chǔ)器配置 2M x 8bit                                        存儲(chǔ)器容量 16Mbit
　　電源電壓范圍 2.7V to 3.6V                                訪問時(shí)間 70ns
　　接口 Parallel                                                     接口類型 Parallel
　　扇區(qū)類型 底部引導(dǎo)

 

 

 　 執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時(shí)），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
　　l NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　2 NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　3 NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　4 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　5 NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
　　
接口差別
　　NOR FLASH帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。     NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。      NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。
　　
容量和成本
　　NAND FLASH的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。      NOR FLASH占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND FLASH只是用在8~128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND在CompactFLASH、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額。
　　
可靠性和耐用性
　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說，F(xiàn)LASH是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。
　　
壽命（耐用性）
　　在NAND閃存中每個(gè)塊的擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些