FEI DualBeam 系列新儀器
FEI 的新 DualBeam 儀器 Versa 3D 是一個高度可選配的平臺，客戶可根據(jù)自己的需求來選系統(tǒng)功能的配置。 高真空版是常規(guī)導(dǎo)電或鍍膜樣品的理想之選。 與之不同,高低真空版可以靈活工作于包括非鍍膜、絕緣材料等眾多樣品。選配的環(huán)境掃描電鏡ESEM 模式可做非鍍膜、絕緣體或自然含水樣品的電子束成像，并支持原位分析和動態(tài)試驗。| 產(chǎn)品 | 電子束 | 離子束 | |
| Versa 3D（高真空） | 分辨率： -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV（配等離子清洗器） -- 1.2 nm @ 30 kV -- 1.3 nm @ 15 kV（配等離子清洗器） -- 2.0 nm @ 1 kV（配射束減速功能） -- 2.9 nm @ 1 kV 著陸電壓： 50 V - 30 kV 探針電流： < = 200 nA | 分辨率： 7.0nm @ 30 kV（同心） 5.0nm @ 30 kV 著陸電壓： 500 V - 30 kV 探針電流： 1.5 pA - 65 nA | |
| Versa 3D（高真空和低真空） | 分辨率（高真空）： -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV SE（配等離子清洗器） -- 1.2 nm/30 kV SE -- 1.3 nm @ 15 kV SE（配等離子清洗器） -- 2.0 nm @ 1 kV SE（配射束減速功能） -- 2.9 nm @ 1 kV SE 著陸電壓（高真空）： 50 V - 30 kV 探針電流： < = 200 nA 分辨率（低真空）： | 分辨率（高真空）： 7.0nm @ 30 kV（同心） 5.0nm @ 30 kV 著陸電壓： 500 V - 30 kV 探針電流： 1.5 pA - 65 nA | |
主要優(yōu)點 • 可檢查任何樣品的表面和表面下方區(qū)域的 DualBeam 功能（納米和微米尺度樣品修改） • 結(jié)合了高束流 FIB 切割/沉積和低電壓 FIB 清洗，迅速切割/沉積材料，生產(chǎn)出質(zhì)量、低損傷樣品表面 • 高質(zhì)量 TEM 和原子探針樣品制備，配以低電壓清洗，實現(xiàn) TEM/原子探針的原子級研究 • 全面補(bǔ)充之軟件，可用于執(zhí)行如三維批量切片等任務(wù)，并可使用 CAD 或圖像文件進(jìn)行表征、樣品制備和原型制造 • 靈活的電子束真空配置，用于檢查僅高真空配置系統(tǒng)內(nèi)的導(dǎo)體樣品，或者檢查高真空和低真空配置系統(tǒng)內(nèi)的導(dǎo)體和絕緣樣品 • Auto Slice and View G3 可利用一套探測器*對廣泛的材料類型進(jìn)行三維表征，實現(xiàn)了從各個角度獲取信息 • ESEM* 功能可進(jìn)行涉及氣體*和熱量控制*的動態(tài)實驗 | |||
