NA MASTER(那諾-馬斯特)提供離子束刻蝕和反應(yīng)離子束刻蝕，可以應(yīng)用于表面清洗、表面處理、離子束研墨、光柵刻蝕，以及SiO2，Si及金屬的深槽反應(yīng)離子束刻蝕。型號(hào)包含NIE-3000，NIE-3500，NIE-4000。
IBE/RIBE離子束刻蝕/反應(yīng)離子束刻蝕
如銅和金等金屬揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到的方式消除熱量，否則光刻膠將變得去除。
NA-MASTER(那諾-馬斯特)技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以想要的均勻度。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子1000eV,500mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺(tái)
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
手動(dòng)或自動(dòng)上晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，限真空可達(dá)8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)訪問(wèn)保護(hù)
完整的聯(lián)鎖
IBM離子銑/RIBE反應(yīng)離子束刻蝕
產(chǎn)品特點(diǎn)：
離子束：2KV/10mA
離子電流密度100-360uA/cm2
離子束直徑：4”,5”,6”
兼容反應(yīng)及非反應(yīng)氣體(Ar, O2, CF4,Cl2)
限真空5x10-7Torr
260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
14”不銹鋼或鋁質(zhì)腔體
水冷旋轉(zhuǎn)/傾斜樣品臺(tái)(NIE-3500)
自動(dòng)上片（NIE-3500）
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
占地面積30”x30”
產(chǎn)品應(yīng)用：
表面清洗
表面處理
離子銑
帶氣體的離子束刻蝕
光柵
SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
