SST39VF800A-70-4C-EKE存儲器

產(chǎn)品參數(shù)：

　　工作溫度范圍 0°C to + 70°C                   封裝類型 TSOP
　　針腳數(shù) 48                                            工作溫度 0°
　　工作溫度 +70°C                              電源電壓 3.6V
　　最小電源電壓 2.7V                                表面安裝器件 表面安裝
　　重量 0.00003                                       存儲器類型 Flash, NOR
　　存儲器配置 512K x 16bit                        存儲器容量 8Mbit
　　電源電壓范圍 2.7V to 3.6V                     訪問時間 70ns
　　接口 Parallel                                          接口類型 Parallel
　　扇區(qū)類型 一致

 　  存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲器可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。

NOR Flash 和 NAND Flash
　　由1988年INTEL公司首先開發(fā)出NOR FLASH技術(shù)，徹底顛覆了原先EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；緊接1989年東芝公司發(fā)表了NAND FLASH結(jié)構(gòu)，強調(diào)以成本為主，降低每bit的成本，具有更高的性能，并且能像硬盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR FLASH和NAND FLASH是目前市面上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR FLASH 的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP ,eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在FLASH閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于FLASH的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫入速度比NOR快很多，在設(shè)計中應(yīng)該考慮這些情況。