SST39VF800A-70-4C-EKE存儲(chǔ)器

　　型號(hào)：SST39VF800A-70-4C-EKE
　　品牌：SST
　　工作溫度范圍 0°C to + 70°C
　　封裝類型 TSOP
　　針腳數(shù) 48
　　工作溫度 0°
　　工作溫度 +70°C
　　電源電壓 3.6V
　　最小電源電壓 2.7V
　　表面安裝器件 表面安裝
　　重量 0.00003
　　存儲(chǔ)器類型 Flash, NOR
　　存儲(chǔ)器配置 512K x 16bit
　　存儲(chǔ)器容量 8Mbit
　　電源電壓范圍 2.7V to 3.6V
　　訪問(wèn)時(shí)間 70ns
　　接口 Parallel
　　接口類型 Parallel
　　扇區(qū)類型 一致

　　FLASH閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何FLASH器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0.
　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms.
　　執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時(shí)），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
　　l NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　2 NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　3 NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　4 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　5 NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。